[发明专利]单晶自旋电子器件、制备方法及其三维集成制备方法在审
| 申请号： | 202010325501.2 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111490157A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单晶自旋电子器件，所述电子器件的结构依次包括：衬底；具有B2晶体结构的种子层，位于所述衬底之上；GMR或TMR多层膜结构，位于所述具有B2晶体结构的种子层之上。本发明提出了使用镍铝合金和钴铁合金(NiAl/CoFe)双种子层来提高自旋电子器件的热稳定性，使器件可通过更高温度的退火处理来提高性能。本发明提出在多晶电极上制备单晶(001)晶向自旋电子器件的完整工艺流程和方法，成功解决了目前高性能单晶外延生长的自旋电子器件需要使用价格昂贵的单晶氧化镁基片，缺乏与之匹配的实用化制备工艺的关键性难题，为高性能单晶自旋电子器件在硅晶圆上低成本、大规模生产提供了解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 电子器件 制备 方法 及其 三维 集成 | ||
【主权项】：
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