[发明专利]沟槽栅器件的栅极串联电阻有效
| 申请号： | 202010326494.8 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111370474B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅器件的栅极串联电阻，沟槽栅器件的有源区中形成有多个并联的沟槽栅，沟槽栅包括第一沟槽和形成于第一沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅通过对应的栅极总线连接到栅极焊盘；栅极总线包括多级，所需的栅极串联电阻设置在两级相邻的栅极总线之间并实现两级栅极总线之间的连接，栅极串联电阻包括第二沟槽、形成于第二沟槽内的隔离氧化层和多晶硅电阻；多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线；多晶硅电阻通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线。本发明不需要增加额外的光罩来定义栅极串联电阻，从而能降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 器件 栅极 串联 电阻 | ||
【主权项】：
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