[发明专利]超级结器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010326495.2 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111446170A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件的制造方法，超级结器件的器件正面单元结构形成于超级结上；器件正面单元结构包括栅极结构；超级结的形成工艺中超级结沟槽未被第二导电类型的第二外延层填满且顶部形成的V型开口被第一介质层完全填充或封口；结合栅极结构的形成工艺设置超级结的形成工艺在超级结器件的工艺流程中的顺序，超级结器件的工艺流程的设置包括：将超级结的形成工艺放置在栅极结构的形成工艺的后面。本发明能大幅度缩短超级结的形成工艺中填充超级结沟槽的外延生长时间及降低成本，同时能减少超级结的面内掺杂失配，提高超级结器件的击穿电压的面内均匀性，还能提高超级结器件的性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
