[发明专利]一种纳米空心Si@C@SiO2在审

专利信息
申请号: 202010328877.9 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111416114A 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 王杰;刘风光;韩勇 申请(专利权)人: 王杰
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/583;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233600 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种纳米空心Si@C@SiO2@C多层结构复合微球的制备方法通过以下步骤实现:以碳酸钙微球为模板,使用硅源在其表面水解,包裹形成碳酸钙@SiO2;将碳酸钙@SiO2微球再放入高浓度的高分子溶液中,在其表面包覆一层高分子材料,形成碳酸钙@SiO2@高分子;将碳酸钙@SiO2@高分子转移到高温气氛炉中,在氢氩混合气氛中在800‑1200℃下进行高温烧结,并转移到酸性溶液中,进一步洗涤除杂,得到空心Si@C复合结构材料;将空心Si@C复合结构材料再分别包覆SiO2层和低聚物层,并在160‑200℃的水热条件下处理,反应结束后,产物经过水洗即可得到多层结构复合微球。
搜索关键词: 一种 纳米 空心 si sio base sub
【主权项】:
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