[发明专利]一种空腔限域原位生长大面积准单晶钙钛矿薄膜的方法有效
| 申请号： | 202010329361.6 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111446370B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 肖尧明 | 申请（专利权）人： | 泉州师范学院 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K85/50;H10K30/81;H10K30/50 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空腔限域原位生长大面积准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其是先在大面积透明导电衬底上构建具有特定形状和规格的金属空腔电极，以降低器件内阻，然后在其表面制备载流子传输层，再在其上沉积功能化石墨烯量子点，最后空腔限域原位生长钙钛矿薄膜，并利用不良溶剂静置法促进准单晶钙钛矿的均匀快速生长，而制得所述大面积准单晶钙钛矿薄膜。本发明所得准单晶钙钛矿薄膜面积大、晶界少、缺陷少、厚度可控、内阻低，可直接应用到光伏器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空腔 原位 生长 大面积 准单晶钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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