[发明专利]一种稀土掺杂少模光纤的制备方法在审
申请号: | 202010330513.4 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111470769A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 黄宏琪 | 申请(专利权)人: | 黄宏琪 |
主分类号: | C03B37/027 | 分类号: | C03B37/027;C03B37/018 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖高*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种稀土掺杂少模光纤的制备方法。通过PCVD工艺沉积二氧化硅、二氧化锗、氟所形成的包层或内芯层时衬管或预制棒;通过MCVD气相掺杂工艺在制备掺稀土芯层,在通过管套棒工艺拉丝成所需的掺稀土少模光纤。充分地利用了PCVD工艺折射率控制精准、圆度好、弓曲度好、损耗小的优点;利用了MCVD气相掺杂工艺稀土掺杂浓度高、稀土分布均匀、损耗小、掺杂芯层可以足够厚的优点;在通过管套棒工艺拉丝,使得拉制的稀土掺杂少模光纤具备折射率剖面更加精准、稀土掺杂均匀、损耗更小、圆度好、同心度好的特点。最终制备的光纤符合初始的结构设计和参数设计,即该掺杂少模光纤在使用过程中具备更好的品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 光纤 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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