[发明专利]高计数率阻性微井型探测器放大单元的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010330888.0 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111564348B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 周意;吕游;王旭;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;邵明 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01J9/00 分类号: H01J9/00;H01J43/04;G01T1/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开提供一种高计数率阻性微井型探测器放大单元的制备方法,包括:步骤S1:制备基材层;步骤S2:制备读出电极PCB;步骤S3:将步骤S1制备的基材层与步骤S2制备的读出电极PCB通过Pre‑preg层粘接;步骤S4:制备导电过孔;步骤S5:刻蚀基材层至DLC上表面形成井型放大孔阵列;以及步骤S6:移除导电过孔上表面附近的铜层,完成高计数率阻性微井型探测器放大单元的制备。
搜索关键词: 计数 率阻性微井型 探测器 放大 单元 制备 方法
【主权项】:
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