[发明专利]半导体模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202010331014.7 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863632A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | G·特里奇伦加拉詹 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/54 | 分类号： | H01L21/54;H01L23/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种用于制造功率半导体模块装置(100)的方法包括：使无机填充物(81)与浇注材料(5)混合，由此制备包括第一浓度的无机填充物(81)的混合物，其中，所述无机填充物(81)具有高于浇注材料(5)的密度(ρ |
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| 搜索关键词： | 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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