[发明专利]一种氧化亚铜/二硫化钼复合材料及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202010332585.2 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN111468143A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 崔小强;尹亚格 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;C02F1/30;C02F101/38
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 邱启旺
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种Cu2O/1T MoS2复合材料及其制备方法与应用,属于光学材料制备技术领域,该复合材料以MoS2(1T MoS2)纳米片为衬底原位生长具有p型半导体性质的Cu2O材料(Cu2O/1T MoS2)并应用于甲基橙的光降解。该复合材料通过获得金属相MoS2,金属相MoS2具有非常好的导电性,有助于半导体材料Cu2O所产生的电子空穴对的快速转移,从而降低电子空穴对的再次复合,大大提高了Cu2O的光学性质。并成功应用于甲基橙的光降解,很大程度上提高了Cu2O对的光降解性能。
搜索关键词: 一种 氧化亚铜 二硫化钼 复合材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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