[发明专利]掩膜板、显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010332826.3 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111505896A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 岳斌;黄晓丽;孟庆阳;胡德莹;曾振助 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种掩膜板,用于对光敏材料层进行曝光,所述光敏材料层包括待去除区域、待保留区域和连接在所述待去除区域与所述待保留区域之间的斜坡形成区域,所述掩膜板包括与所述待去除区域对应的透光区域和位于所述透光区域之外的遮光区域,其中,所述遮光区域中设置有遮光层,所述遮光层上设置有与所述斜坡形成区域对应的光衍射图形,所述光衍射图形用于在曝光时使光线衍射,以使所述光敏材料层在完成曝光和显影后,在所述斜坡形成区域形成坡度角小于或等于30°的斜坡面。本发明还提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。本发明可以使斜坡面的坡度角更佳平缓,有利于提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 掩膜板 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010332826.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备