[发明专利]三维存储器件及形成方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器件及形成方法，器件包括：基底；由栅极层和隔离层交替层叠构成的堆叠结构，包括核心区和台阶区；栅线隙，其将堆叠结构分隔为多个存储块及指存储区；贯穿堆叠结构的沟道结构；选择栅，其在核心区与沟道结构相连接，在台阶区与选择栅字线接触结构相连接；将选择栅分隔为多个选择栅分区的选择栅隔离结构；选择栅分区与指存储区具有相同的延伸方向。本发明通过引入隔离结构将选择栅分隔为多个分区，得到了能够同时引入顶部选择栅隔离结构和底部选择栅隔离结构的3D NAND存储器，实现了对各个指存储区和存储串的精确控制，提升了器件性能。