[发明专利]LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法在审
| 申请号： | 202010333784.5 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111600552A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王向展;吴锦帆;陈玉翔;唐周全;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/24 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及LDMOS功率放大器技术。本发明解决了现有提取不同LDMOS器件结构的功率附加效率指标的仿真方法精度不高且较为复杂的缺点，提供了一种LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其技术方案可概括为：将现有的固定偏置电压替换为固定偏置电流，而对于不同的器件结构，在固定偏置电流条件下，其端口阻抗基本不变，因而采用统一的匹配电路即可完成不同器件结构的LDMOS功率放大器的搭建。本发明的有益效果是，提升效率指标的仿真精度，有效降低了匹配电路的设计次数，适用于LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 功率放大器 功率 附加 效率 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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