[发明专利]一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010334663.2 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN111403503A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 杜俊霖;刘正新;孟凡英;付昊鑫;孙林 申请(专利权)人: 中威新能源(成都)有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 代理人: 汪林
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法,主要涉及单晶制绒领域,包括预清洗、制绒、圆角化处理、氢氟酸清洗、慢拉提和烘干等步骤,其中在圆角化处理工序中,综合了硝酸CP和臭氧CP各自的特点;使用本发明的方案对制绒后的硅片进行金字塔圆角化处理,使金字塔顶和金字塔谷都得到了圆滑,在沉积非晶硅薄膜时可以降低缺陷态密度,提高硅片的钝化质量和少子寿命,从而获得更高的电池转换效率。
搜索关键词: 一种 具有 金字塔结构 单晶硅 制备 方法
【主权项】:
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