[发明专利]一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法在审
申请号: | 202010334663.2 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111403503A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 杜俊霖;刘正新;孟凡英;付昊鑫;孙林 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 | 代理人: | 汪林 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法,主要涉及单晶制绒领域,包括预清洗、制绒、圆角化处理、氢氟酸清洗、慢拉提和烘干等步骤,其中在圆角化处理工序中,综合了硝酸CP和臭氧CP各自的特点;使用本发明的方案对制绒后的硅片进行金字塔圆角化处理,使金字塔顶和金字塔谷都得到了圆滑,在沉积非晶硅薄膜时可以降低缺陷态密度,提高硅片的钝化质量和少子寿命,从而获得更高的电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 金字塔结构 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的