[发明专利]一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统在审

专利信息
申请号: 202010334779.6 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN111628044A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 黄思;刘勇;朴松源 申请(专利权)人: 一道新能源科技(衢州)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 324022 浙江省衢州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供了一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统,具体为在经过在先工艺流程处理后的硅片基底上制备氧化硅薄膜;在氧化硅薄膜上制备氧化铝薄膜;在氧化铝薄膜上制备含氢介电材料薄膜。由于氧化硅薄膜能够修复部分硅表面的悬挂键,并且能够作为缓冲层,减少在氧化铝薄膜制备过程中原子的轰击产生的损伤,使硅片基底和钝化层界面具有较低的界面态缺陷密度水平,也就无需通过退火工序降低界面态缺陷密度。由于无需退火工序,从而降低了工艺成本和设备投资,还减少了因工艺复杂程度对大规模量产的良率控制产生的不良影响。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 表面 钝化 处理 方法 系统
【主权项】:
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