[发明专利]微纳流控芯片及其制造方法、微纳流控系统有效
| 申请号： | 202010335071.2 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113546698B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 马啸尘;宁策;袁广才;李正亮;谷新;郭康;周雪原 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种微纳流控芯片及其制造方法、微纳流控系统，属于生化检测领域。该微纳流控芯片包括：衬底，以及位于衬底上的电极层和膜层。由于电极层中的第一电极在参考平面上的正投影与多个微纳流通道在该参考平面上的正投影部分重合，而电极层中的第二电极在参考平面上的正投影与多个微纳流通道在该参考平面上的正投影错开。因此，该微纳流控芯片内的富集区域为第二凹槽中远离第二电极的一端的区域，使得该微纳流控芯片内的富集区域的尺寸仅与第二凹槽的尺寸相关，当增加该微纳流控芯片内微纳流通道的个数时，并不会影响该微纳流控芯片对带电物质进行富集的效果，有效的提高了对富集区域内的带电物质进行检测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 微纳流控 芯片 及其 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
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