[发明专利]一种基于19.6nm软X射线的准单能背光阴影成像方法在审
| 申请号： | 202010337206.9 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111487261A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王琛;安红海;王轶文;方智恒;熊俊;贺芝宇;曹兆栋;谢志勇;张帆;王伟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 201899 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于19.6nm软X射线的准单能背光阴影成像方法，包括以下步骤：S1、安装、调节成像装置，成像装置包括背光靶、待测靶、多层膜球面镜、接收部件；S2、驱动激光辐照背光靶，产生软X射线，所述软X射线的波长为19.6nm；S3、驱动激光辐照射待测靶，驱动产生等离子体；S4、软X射线穿越等离子体，多层膜球面镜对等离子体进行成像，接收部件接收记录等离子体成像。本发明采用波长19.6nm的软X射线作为探针，由于穿透能力适中，使得诊断传统硬X射线背光阴影方法无能为力的某些特殊条件下的中等及较低电子密度等离子体成为可能；可以非常方便的实现准单能近正入射成像，所得背光阴影图像具有准单能性和高空间分辨，方便进一步的解读和处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 19.6 nm 射线 准单能 背光 阴影 成像 方法 | ||
【主权项】：
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