[发明专利]一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010338081.1 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111430870A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/06 | 分类号： | H01P7/06 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，封堵结构，顶层金属件，谐振器结构；底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层，中间硅层为在底层氧化层上沉积的硅薄膜，中间氧化层为在中间硅层形成的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜。一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构的制备方法，衬底硅作为谐振器的支撑层，SOI晶圆的埋层氧化层或者利用热氧化或者化学气相沉积技术在底层硅上沉积的氧化层，形成空腔。本发明优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；在硅晶圆上沉积氧化层和硅薄膜，是密封单晶硅谐振器的新结构性能稳定，新工艺和新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 硅叠层 振荡器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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