[发明专利]一种低压低电容单向ESD保护器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种低压低电容单向ESD保护器件及其制作方法，该器件包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料的两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本发明可以实现单颗芯片完成低压低电容的单向ESD保护，封装难度低，可靠性高。本发明既包括穿通型三极管又包括降容二极管。本发明的穿通型三极管将纵向击穿调整为横向击穿，同时引入P型调整区，可以在低电压的条件下，获得更低的漏电流。本发明的降容二极管可以通过调整P型单晶材料的电阻率可以获得需求的电容值。本发明以P型单晶为材料，不同于传统结构的外延材料，从而具有制造成本低的优点。