[发明专利]一种Ge/Si衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 202010338509.2 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113555457B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 芦红;魏炼;苗艺;李晨;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙) 11269 | 代理人： | 缪策;严慎 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm |
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| 搜索关键词： | 一种 ge si 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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