[发明专利]一种长沟道MOS管阈值电压片上产生电路有效
| 申请号： | 202010338541.0 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111488029B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张俊安;俞宁;丁朝远 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 400054 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长沟道MOS管阈值电压片上产生电路，包括4个NMOS管、2个运算放大器、1个电流镜、1个电压2倍放大单元、1个电压减法运算单元；所述4个NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述2个运算放大器包括第一运算放大器和第二运算放大器。本发明的长沟道MOS管阈值电压片上产生电路利用提出的电路结构在芯片上直接产生待测MOS管的阈值电压VTH参数，在芯片外不可以直接测得，无需计算或描点，比较方便。当整个芯片的环境温度发生变化时，待测MOS管的阈值电压VTH也随之实时变化，无需重新计算或描点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 mos 阈值 压片 产生 电路 | ||
【主权项】：
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