[发明专利]一种含镧铈钕铁硼系磁体及其制备方法在审
申请号: | 202010338734.6 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111477449A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 林笑;马跃华;白馨元;罗阳;于敦波;崔学军;白有权 | 申请(专利权)人: | 有研稀土(荣成)有限公司;有研稀土新材料股份有限公司;有研稀土(青岛)有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 于晶晶 |
地址: | 264307 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种含镧铈钕铁硼系磁体及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:将钕铁硼系速凝薄片浸入到含镧铈的低熔点合金粉末悬浮液中,随后将附着含镧铈低熔点合金粉末的钕铁硼系速凝薄片烘干,然后进行热处理,再经过氢破、制粉、成型、烧结及回火处理过程制得含镧铈钕铁硼系磁体。本发明以低熔点高丰度稀土合金为扩散源,明显改善了矫顽力,同时通过采用速凝薄片浸入含镧铈的低熔点合金粉末悬浮液并进行热扩散处理,有助于低熔点相更均匀地分散包覆在每个主相晶粒周围,进而在烧结阶段形成连续晶界相,提高了扩散源利用率,扩散效果显著,简化了生产工艺,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 含镧铈钕铁硼系 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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