[发明专利]一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 202010339163.8 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111443313A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张登伟;梁璀;魏鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;上海大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G01D5/353;G01R33/00;B29C64/135;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器，其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构；所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接，F‑P腔微结构的外围套设有毛细管，毛细管的两端密封形成密封腔体，密封腔体内充满磁流体；所述单模光纤的另一端通过光纤耦合器分别连接宽谱光源和光谱分析仪；其原理与传统的内部填充磁流体的光纤磁场传感器不同，通过在波导周围填充磁流体所产生的倏逝耦合效应，突破了磁流体高吸收性对传感器磁场灵敏度的限制，具有较高的磁场灵敏度；打印制备的F‑P磁场传感器仅为微米尺寸，封装后的传感头在毫米量级，具有小型化的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光子 激光 技术 打印 磁场 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;上海大学，未经浙江大学;上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010339163.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
