[发明专利]一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法在审

专利信息
申请号: 202010339529.1 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111443062A 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 尹飞;汪韬;闫欣;高贵龙;何凯;田进寿 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;G01N21/25;G01N21/17
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 董娜
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法,解决现有半导体折射率变化测量方法,无法满足对脉冲入射及脉冲响应特性检测需求的问题。该装置包括高功率脉冲激光器、第一分束镜、脉冲X射线激励单元、探针光调控单元、第二分束镜及信号读出单元;第一分束镜位于脉冲激光器的出射方向,将脉冲激光器产生激光光束分为A光束和B光束;脉冲X射线激励单元位于A光束出射方向,对脉冲激光产生X射线,探针光调控单元位于B光束的出射方向,产生探针光,探针光和X射线同时到达半导体超快探测芯表面;X射线对半导体超快探测芯片折射率进行调制,进而改变探针光的光谱强度;信号读出单元探测探针光光谱强度变化,获得芯片对X射线的响应过程。
搜索关键词: 一种 半导体材料 瞬态 折射率 检测 装置 方法
【主权项】:
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