[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010339537.6 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111430395A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器结构，包括：位于硅衬底上的像素单元阵列区域和位于像素单元阵列区域周围的外围电路区域，硅衬底中设有埋氧层，埋氧层分为位于像素单元阵列区域的第一埋氧层和位于外围电路区域的第二埋氧层，像素单元阵列区域的硅衬底正面上设有像素单元的感光部和悬浮漏极，外围电路区域的硅衬底正面上设有外围电路，感光部穿过第一埋氧层设置，悬浮漏极设于第一埋氧层面向硅衬底正面的一侧位置，外围电路设于第二埋氧层面向硅衬底正面的一侧位置。本发明能够减小寄生电容，提升像素单元的量子效率和防止光学串扰。本发明还公开了一种CMOS图像传感器结构制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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