[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器结构，自下而上包括：P+型衬底，第一P型轻掺杂层和第二P型轻掺杂层，P阱；第二P型轻掺杂层之间的第一P型轻掺杂层上设有第一N型中掺杂层，第一N型中掺杂层上依次设有N型轻掺杂层和第三N型中掺杂层，P阱内部设有第二N型中掺杂层，第三N型中掺杂层及其一侧的一个P阱上设有P型重掺杂层，第三N型中掺杂层另一侧的另一个P阱上设有电荷转移晶体管栅极，电荷转移晶体管栅极与第三N型中掺杂层存在部分交叠，第三N型中掺杂层，N型轻掺杂层和第一N型中掺杂层组成光电二极管PN结的N区。本发明能减小漏电流，抑制像元间串扰。本发明还公开了一种CMOS图像传感器结构制造方法。