[发明专利]一种Bi2在审

专利信息
申请号: 202010339901.9 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111634889A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 黄卫春;张也;游琪 申请(专利权)人: 深圳瀚光科技有限公司
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H01L31/032;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 代理人: 林玲
地址: 518027 广东省深圳市龙华区观澜*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种Bi2Te3纳米片,所述Bi2Te3纳米片的横向尺寸为470~940nm。本发明Bi2Te3纳米片具有良好的环境稳定性,Bi2Te3纳米片是一种新型的拓扑绝缘体材料,其表面状态为金属态,其表面状态受时间反演对称性保护,因此,所述Bi2Te3纳米片的环境稳定性良好。本发明还提供了一种纳米片的制备方法,该制备方法简单易操作,制得的Bi2Te3纳米片的环境稳定性良好。
搜索关键词: 一种 bi base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瀚光科技有限公司,未经深圳瀚光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010339901.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top