[发明专利]一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置有效

专利信息
申请号: 202010340549.0 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111368464B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 林仲康;潘艳;韩荣刚;唐新灵;吴军民;金锐;张朋;李现兵;王亮 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F115/12
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 唐岩
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置,所述方法包括:将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置;获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据,所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据;获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据,所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据;将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配,所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片;计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差;随机更换所述多个目标芯片,以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
搜索关键词: 一种 功率 半导体器件 芯片 筛选 方法 装置
【主权项】:
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