[发明专利]一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202010341318.1 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111489964B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 唐发俊;李明达;王楠;赵扬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法，在高温下硅外延炉石英腔体对基座上残余沉积物质进行刻蚀；向基座上装入表面带有图形的硅衬底片；对硅衬底片的表面进行高温烘焙；通入氯化氢气体对硅衬底片表面气抛；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；携带气态三氯氢硅进入硅外延炉石英腔体，进行硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；继续进行硅外延层的生长；硅外延层生长完成后从基座上取出，形成表面带有图形的硅衬底片，硅外延层的厚度5点均值为11.5~12.5µm，硅外延层的掺杂层电阻率5点均值为1.85~2.15Ω·cm；本方法与现有工艺兼容，不需要增加额外的工艺开发和气体置换成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 图形 漂移 厚层硅 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
