[发明专利]一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法在审
| 申请号： | 202010341435.8 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111564552A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马付胜;马莽原 | 申请（专利权）人： | 南京师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐红梅 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法，忆阻器由下至上依次包括衬底、第一铁磁层和第二铁磁阵列层，第二铁磁阵列层包括阵列排布的多个第二铁磁单元，第二铁磁单元包括中间层和位于中间层上的第二铁磁层，中间层和第二铁磁层为直径相同的圆柱体结构，中间层为第一铁磁层和第二铁磁层提供反铁磁耦合。通过施加外磁场对忆阻器内斯格明子尺寸进行调控，斯格明子的尺寸会随着外磁场的增大或减小而逐渐变大或逐渐变小，斯格明子尺寸的变化会直接引起忆阻器内磁矩分布的变化，从而引起忆阻器电阻的变化。本发明忆阻器尺寸小，构造简单，可以高密度、大规模集成，高低阻态之间的变化是渐变、连续且可控的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁性 明子 忆阻器 及其 阻值 调控 方法 | ||
【主权项】：
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