[发明专利]化学气相沉积方法

摘要

本发明提供一种化学气相沉积方法，包括步骤：1）提供键合片并放置于腔室内；2）于第一温度及第一压强下对键合片进行第一时长的第一阶段预热；3）于第二温度及第二压强下进行第二时长的第二阶段预热；4）于第三温度及第三压强下对进行第三时长的第三阶段预热；5）于第四温度下进行等离子体处理以对键合片进行清洁；6）于第四温度下进行化学气相沉积以于键合片的表面形成薄膜；其中，第一压强＜第二压强≤第三压强，第一温度＜第二温度≤第三温度，第一时长和第二时长均小于第三时长。本发明可以在翘曲度偏大的键合片上制备出附着力良好的氧化硅膜，可以极大地提升薄膜可靠性，由此提升器件品质，提高生产良率。