[发明专利]IGBT器件及IGBT器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010342094.6 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111370482A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;黄璇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种IGBT器件及IGBT器件的制备方法，该器件包括：衬底，其中形成有沟槽型栅极；层间介质，其形成于衬底上；顶层金属层，其形成于层间介质上；层间介质和衬底中，每个沟槽型栅极之间形成有至少两个接触通孔，至少两个接触通孔中每个接触通孔分别与顶层金属层和衬底连接。本申请将IGBT器件的深沟槽型栅极之间设置至少两个接触孔用于引出，由于至少两个接触孔中每个接触孔的宽度小于单个接触孔的宽度，且设置至少两个接触孔能够使上层的顶层金属层在横向上的分布更为均匀，从而能够使顶层金属层的表面起伏较小，有较好的形貌，提高了IGBT器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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