[发明专利]一种结合能力强、低阻值的GeSbTe相变材料薄膜器件在审
| 申请号： | 202010342416.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111416038A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈星源;徐祥福;朱伟玲 | 申请（专利权）人： | 广东石油化工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 童海霓 |
| 地址： | 525000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结合能力强、低阻值的GeSbTe相变材料薄膜器件，包括下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次设置叠加在为衬底层上，下电极层为双层复合结构，下电极层包括镀覆在衬底层的Cr‑Ag合金镀层和设置在Cr‑Ag合金镀层表面的Cr‑M合金材料层，Cr‑M合金材料层中M选Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu。本发明的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热结合能力强、一致性好、内阻小和使用寿命长特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结合 能力强 阻值 gesbte 相变 材料 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
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