[发明专利]一种硅控整流器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种硅控整流器及其制造方法，硅控整流器包括：P型衬底，P型衬底中的N型阱60，其上部具有构成第一极的P型重掺杂区20和N型重掺杂区28，两者之间具有浅沟槽隔离；P型衬底中的N型阱62，其上部具有构成第二极的P型重掺杂区22和N型重掺杂区26，两者之间具有浅沟槽隔离；以及P型衬底中连接N型阱60和N型阱62的P型阱70，其上部具有P型重掺杂区24；其中第一极结构与第二极结构关于P型重掺杂区24镜像对称，N型重掺杂区28和N型重掺杂区26与P型重掺杂区24之间分别具有浅沟槽隔离。本发明所提供的制造方法所制造的硅控整流器为双向器件，能同时适用于正负高压I/O端口的防静电保护电路设计。