[发明专利]金属线自对准二次成型工艺方法有效
| 申请号： | 202010344600.5 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111446206B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林爱梅 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属线自对准二次成型工艺方法，包括：提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上生长复合膜层，所述复合膜层从下至上依次包括层间介质层、第一硬掩膜层、刻蚀停止层、芯核牺牲层以及第二硬掩膜层，其中所述刻蚀停止层包括碳掺杂的氮化硅，且其碳掺杂浓度大于40％；图形化所述第二硬掩膜层和芯核牺牲层；在图形化的芯核牺牲层的侧壁上生长侧墙；除去图形化的芯核牺牲层；刻蚀所述刻蚀停止层、第一硬掩膜层和层间介质层，形成沟槽，并在所述沟槽中填充金属材料形成金属线。即通过增加碳掺杂的氮化硅中的碳掺杂浓度至40％以上，有效地提高了复合膜层抗高温和抗刻蚀的能力，防止膜层剥离和图形倒塌，进而避免金属线变形。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 对准 二次 成型 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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