[发明专利]一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法有效
| 申请号： | 202010345082.9 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111613499B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 赵振征;刘文超;魏贤龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院 |
| 主分类号： | H01J9/04 | 分类号： | H01J9/04;H01J37/075;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 300452 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，在该方法中，衬底被分为器件区和对准区。其中，在器件区内铺设碳纳米管，并在器件区内铺设碳纳米管，制备第二电极对阵列，其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压，除去预设范围外的碳纳米管，在器件区内制备第一电极对阵列，其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列，最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽，其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案，可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级片上 微型 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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