[发明专利]一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010346220.5 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111477625B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，为第一掺杂类型；半导体衬底表面的半浮栅阱区，为第二掺杂类型；贯穿半浮栅阱区的U型槽；覆盖U型槽表面的第一栅介质层，在半浮栅阱区形成开口；覆盖第一栅介质层的第一金属栅，在开口处与半浮栅阱区接触；覆盖第一金属栅的浮栅；覆盖浮栅表面和部分半浮栅阱区表面的第二栅介质层，覆盖第二栅介质层的第二金属栅；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的源极和漏极；浮栅为缺陷俘获材料。本发明可以有效地增强电荷保持能力，从而增加存储器的刷新时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 缺陷 俘获 材料 半浮栅 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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