[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 202010348098.5 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151546B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 慎重赞;金志永;金熙中;安泰炫;赵银珠;崔贤根;韩相然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/30;H10B41/40;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/27;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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