[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 202010348380.3 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN112309472A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 尹政昊;金世润;金真弘;水崎壮一郎;曹永真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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