[发明专利]一种基于非吸收光谱校正红外掩星传感器低层切高的方法有效
申请号: | 202010349054.4 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN111504937B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 王红梅;张玉贵;鲁之君 | 申请(专利权)人: | 南通大学;北京空间机电研究所 |
主分类号: | G01N21/3504 | 分类号: | G01N21/3504 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 朱小兵 |
地址: | 226019 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明提供了一种基于非吸收光谱校正红外掩星传感器低层切高的方法,步骤一:通过GF‑AIUS探测的一级光谱数据,一级光谱数据包括多个一级切高和多个切高上的探测光谱数据;步骤二:对探测光谱数据进行分析,确定要校正的低层切高范围;步骤三:通过HITRAN光谱吸收库,分析GF‑AIUS有效观测谱段(750‑4100cm |
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搜索关键词: | 一种 基于 吸收光谱 校正 红外 传感器 低层 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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