[发明专利]一种基于非吸收光谱校正红外掩星传感器低层切高的方法有效

专利信息
申请号: 202010349054.4 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN111504937B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 王红梅;张玉贵;鲁之君 申请(专利权)人: 南通大学;北京空间机电研究所
主分类号: G01N21/3504 分类号: G01N21/3504
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 朱小兵
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种基于非吸收光谱校正红外掩星传感器低层切高的方法,步骤一:通过GF‑AIUS探测的一级光谱数据,一级光谱数据包括多个一级切高和多个切高上的探测光谱数据;步骤二:对探测光谱数据进行分析,确定要校正的低层切高范围;步骤三:通过HITRAN光谱吸收库,分析GF‑AIUS有效观测谱段(750‑4100cm‑1)内的完全无吸收的波段的位置;步骤四:对全有效波段的光谱进行高通滤波,提取非吸收波段在相应的切高范围内的光谱数据,计算比例因子;步骤五:根据比例因子,修正低层切高上的光谱;步骤六:对低层切高进行大气校正。本发明的有益效果为:本发明的快速切高校正方法更简便、快速、准确。
搜索关键词: 一种 基于 吸收光谱 校正 红外 传感器 低层 方法
【主权项】:
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