[发明专利]一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法有效
| 申请号： | 202010349091.5 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111521262B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏飞;王鑫豪 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法。所述光探测单元包括柔性衬底、反光层、绝缘层、层状二维铁电材料、第一电极和第二电极；在所述柔性衬底上依次制备所述反光层、所述绝缘层和所述层状二维铁电材料；在所述层状二维铁电材料上分别制备所述第一电极和所述第二电极；所述第一电极和所述第二电极之间施加电场的方向与所述层状二维铁电材料面内极化方向平行。本发明的目的是提供一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法，可应用于航空航天以及强辐射环境中，并根据实际需要调控抗辐射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 应变 调控 辐射 性能 探测 单元 方法 | ||
【主权项】：
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