[发明专利]多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010349428.2 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111430458B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 化宁;王真昊;沈亚飞;王佳;章泉源;杜祥裕;王茂森;高翔;姚崇斌;黄硕;麻仕豪 | 申请（专利权）人： | 上海航天测控通信研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 贺姿;胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 绝缘 鳍式栅 复合 algaas gaas 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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