[发明专利]一种GaN基肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010349946.4 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111415998A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王登贵;周建军;陈韬;孔岑;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/49;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。GaN基肖特基二极管包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN帽层、绝缘介质、电极以及钝化层。所述电极中阴极是在势垒层上沉积低功函数金属并退火而形成的欧姆接触，所述电极中阳极指金属‑绝缘层‑半导体（MIS）栅控结构中的高功函数金属与后沉积的低功函数金属共同组成的混合阳极结构。本发明基于高功函数金属/绝缘介质/p‑GaN的MIS栅控结构与高功函数金属/低功函数金属的混合阳极结构，不仅能够有效减小并调控器件的正向开启电压，降低导通电阻，而且可进一步改善器件的反向漏电，提高反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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