[发明专利]AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202010350285.7 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111430459B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈凯;化宁;沈晓唯;章泉源;王佳;尚会锋;姚崇斌;王茂森;张瑞珏;戴杰;黄硕 | 申请（专利权）人： | 上海航天测控通信研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 贺姿;胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | algaas gaas 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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