[发明专利]一种功率器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010350410.4 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113571412A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘金营;张显;杨涛 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一具有栅极沟槽的衬底，形成栅介质层于栅极沟槽的侧壁与底面；形成栅极材料侧墙于栅极沟槽中；形成牺牲层于所述栅极沟槽中，牺牲层的顶面低于衬底上表面；形成隔绝层于牺牲层上方；形成至少一个通孔于隔绝层中；去除牺牲层；形成封闭层于通孔中；形成栅极材料填充层于栅极沟槽中，栅极材料填充层位于隔绝层上方，并与栅极材料侧墙连接。本发明的功率器件结构的制作方法将栅极材料下部掏空，使得沟槽栅结构的靠下部分具有一空腔，由于空腔具有很低的介电常数，可以明显降低功率器件结构的栅极材料与漏极之间的电容，进而降低功率器件的功耗，有利于提高电能利用率、节约能源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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