[发明专利]基于二维钙钛矿单晶的垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010350421.2 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111446619A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋小强;何云;许剑;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种基于二维钙钛矿单晶的垂直腔面发射激光器及其制备方法，利用二维钙钛矿单晶作为垂直腔面发射激光器的光增益材料，二维钙钛矿单晶包括N层二维钙钛矿单层，N≥2；二维钙钛矿单层包括n层共角卤化铅八面体、n‑1层有机配体A及2层有机配体B，n≥1，且二维钙钛矿单层均具有相同的n值，有机配体A嵌入共角卤化铅八面体空隙，有机配体B分别位于共角卤化铅八面体的相对两侧，二维钙钛矿单层的化学式为B |
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| 搜索关键词： | 基于 二维 钙钛矿单晶 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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