[发明专利]获得经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜的方法及包括所获得的膜的光电子器件在审
| 申请号： | 202010351660.X | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863985A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 耶拉西莫斯·康斯坦塔投斯;伊尼戈·拉米罗;奥努尔·厄兹德米尔 | 申请（专利权）人： | 光子科学研究所基金会;卡塔拉纳调查及高级研究学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 王晖;曹桓 |
| 地址： | 西班牙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于获得经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜的方法，所述方法包括：形成金属硫属化合物量子点固态膜；对金属硫属化合物量子点固态膜的多个金属硫属化合物量子点实施n型掺杂工艺以使其表现出带内吸收，所述工艺包括在多个金属硫属化合物量子点中用卤素原子部分取代硫属元素原子，以及在多个金属硫属化合物量子点上设置一物质以避免金属硫属化合物量子点的氧p型掺杂。本发明还涉及一种光电子器件，所述光电子器件包括：根据所述方法获得的经n型掺杂的金属硫属化合物量子点固态膜(A)；和与该膜(A)的两个相应的间隔开的区域物理接触的第一电极(E1)和第二电极(E2)。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 掺杂 金属 化合物 量子 固态 方法 包括 光电子 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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