[发明专利]一种低栅电荷的功率MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010352084.0 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111524976B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 乔明;王正康;董仕达;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低栅电荷的功率MOS器件及其制造方法，M型栅极结构降低控制栅与分离栅电极之间的交叠面积，引入低k材料可降低隔离介质的介电常数，二者相结合可使器件寄生电容Cgs极大降低，提高器件开关速度，降低开关损耗。本发明包括衬底，衬底上表面有外延层，外延层中有控制栅槽，控制栅槽中包含栅电极、分离栅电极。栅电极为M型，位于控制栅槽的上半部分，且位于分离栅电极的上方，栅电极和分离栅电极通过低介电常数材料隔开，栅电极通过栅介质与外延层中的阱区隔开，分离栅电极位于控制栅槽的下半部分，且通过槽内介质与外延层隔开，该介质层也可为低介电常数材料。阱区内包含阱区电极，阱区上部为源区，源区与阱区电极通过金属相连并引出电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010352084.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：视频数据的存储方法、装置、系统及设备
- 下一篇：一种市政淤泥回收装置
- 同类专利
- 专利分类
