[发明专利]一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法在审
| 申请号： | 202010353691.9 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111537859A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 崔梅婷;张雷;刘颖含;张祎慧;李金元;金锐 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法，系统包括控制模块(1)、温控模块(3)、检测模块(4)、测试通道(5)和电源模块(2)；利用检测模块(4)同时检测功率半导体器件的栅极漏电流、栅极电压、集射极漏电流和集射极电压，且能够实现相同或不同规格的功率半导体器件进行高温栅偏测试和高温阻断测试的单项或双项测试，兼容性好，能够满足批量测试需求，无需配备多台测试系统，成本低，测试效率高，且维护方便，各条测试支路相互独立，彼此安全隔离，相互之间的影响小，检测准确，可靠性高；严格保证了测试电压和测试结温的要求，提高了测试系统的兼容性、利用率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 高温 偏置 测试 系统 方法 | ||
【主权项】：
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