[发明专利]基于椭偏成像的检查方法以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010353965.4 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289696A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李明俊;金郁来;郑在晃;安明基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种基于椭偏成像(IE)的检查方法以及制造半导体器件的方法。所述检查方法包括：从基于IE的检查装置的具有第一视场(FOV)的第一模式和具有第二FOV的第二模式中选择一种模式；基于所选择的模式通过所述基于IE的检查装置测量检查目标；以及基于测量结果确定所述检查目标是否正常，其中，所述的测量检查目标包括同时测量在所述检查目标的区域中设置的多个单元中包括的图案，所述区域对应于所选择的模式的FOV。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 成像 检查 方法 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
