[发明专利]用于宽禁带半导体SiC MOSFET的短路保护结构及保护方法

摘要

本发明为用于宽禁带半导体SiC MOSFET的短路保护结构及保护方法，包括比较和逻辑关断电路、RCD积分电路、复位电路，所述RCD积分电路包括积分电容Cf、积分电阻Rf、阻断二极管Dblo、接地电阻Rgro，接地电阻Rgro并联在阻断二极管Dblo两端，阻断二极管Dblo的正极端依次连接积分电阻Rf、积分电容Cf；积分电容Cf的另一端接地Vs,积分电容Cf的接地端连接SiC MOSFET的开尔文源极，阻断二极管Dblo的负极端连接SiC MOSFET的功率源极；RCD积分电路的输出端从积分电容Cf和积分电阻Rf之间引出，分别接入比较和逻辑关断电路、复位电路中。减小了传统的di/dt‑RC检测在负载短路故障情况下存在的巨大检测误差。在FUL故障下，本申请将短路保护的误差从51.3％降低到6.4％，保护时间缩短了50ns。